P/N +説明+コンテンツ検索
部品番号(s) : QPD1025 QPD1025S2 QPD1025EVB1
TriQuint Semiconductor
コンポーネント説明 : 1500 W, 65 V, 1.0 – 1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor
部品番号(s) : QPD1025L QPD1025LS2 QPD1025LEVB1
TriQuint Semiconductor
コンポーネント説明 : 1500 W, 65 V, 1.0 – 1.1 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor
部品番号(s) : QPD1029L QPD1029LEVB4
Qorvo, Inc
コンポーネント説明 : 1500 W, 65 V, 1.2– 1.4GHz, GaN RF Input-Matched Transistor
部品番号(s) : BFP460
Infineon Technologies
コンポーネント説明 : Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor (Rev - 2013)
Cree, Inc
コンポーネント説明 : 10 W, DC - 6 GHz, RF Power GaN HEMT
部品番号(s) : QPD1028L QPD1028LEVB
Qorvo, Inc
コンポーネント説明 : 750 W, 65 V, 1.2 – 1.4 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor
部品番号(s) : QPD1025L QPD1025LEVB1 QPD1025LEVB2
Qorvo, Inc
コンポーネント説明 : 1800 W, 65 V, 0.96 – 1.215GHz, GaN RF Input-Matched Transistor (Rev - 2020)
部品番号(s) : QPD1028 QPD1028EVB
Qorvo, Inc
コンポーネント説明 : 750 W, 65 V, 1.2 – 1.4 GHz, GaN RF Input-Matched Transistor
部品番号(s) : CLF1G0035-1.0 CLF1G0035S-100
NXP Semiconductors.
コンポーネント説明 : Broadband RF power GaN HEMT
部品番号(s) : QPD1025L QPD1025LEVB1 QPD1025LEVB2
Qorvo, Inc
コンポーネント説明 : 1800 W, 65 V, 0.96 – 1.215GHz, GaN RF Input-Matched Transistor
部品番号(s) : QPD1025 QPD1025EVB1
Qorvo, Inc
コンポーネント説明 : 1800 W, 65 V, 0.96 – 1.215GHz, GaN RF Input-Matched Transistor
部品番号(s) : 2SC3355 C3355
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL Transistor
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : NPN SILICON EPITAXIAL Transistor POWER MINI MOLD
部品番号(s) : NE85633 2SC3356-T1B-A 2SC3356-T1B 2SC3356-A C3356 2SC3356 NE85633-A NE85633-T1B NE85633-T1B-A
California Eastern Laboratories.
コンポーネント説明 : NPN Silicon RF Transistor
Qorvo, Inc
コンポーネント説明 : 2.7 – 3.5 GHz, 50 V, 30 W GaN RF Input-Matched Transistor
部品番号(s) : BFY640 BFY640B
Infineon Technologies
コンポーネント説明 : HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor
部品番号(s) : LET19060C
STMicroelectronics
コンポーネント説明 : RF POWER TransistorS Ldmos Enhanced Technology